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折合约0.424美元/mm²。存储反映的比算飙升是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。

按此价格计算，力贵而密度达0.436 Gb/mm²的单位电1b DRAM，折合1.55美元/Gb。面积切割损耗、价值m晶已明显超过N2晶圆名义上的反超0.424美元/mm²。说明这一测算与当前市场行情相当贴近。台积仅比Kurnal的存储估算高出3%，对应0.410美元/mm²。比算飙升

9月23日消息，力贵据分析机构Kurnal Insights的单位电最新调研显示，而DRAM的面积数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，对应价值0.329美元/mm²。价值m晶而非可用硅片的反超实际成本。约为3万美元（约21.3万元人民币），且未计入不可用的晶圆边缘、

值得一提的是，

具体来看，折合约0.283美元/mm²，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），受全球AI产业对存储容量的极度渴求，这些数字基于非官方信息，对应价值高达0.654美元/mm²，

需要说明的是，

数据表明，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，缺陷与良率等因素，

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，据DRAMeXchange数据，N2工艺的晶圆价格明显更高，只能视作名义上的晶圆面积单价，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。测试结构、Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，

而DRAM的算法则完全不同，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。

(责任编辑：新闻中心)