比韩国存储双雄更早落地！长鑫秘密研发DRAM新技术：无需EUV光刻机

一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内采HBM积累实战经验，比韩长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，国存V光

首尔大学教授崔宇永警告，储双

NAND领域长江存储的雄更鑫秘M新领先优势更加明显，再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，早落

此外，地长

报道称，密研仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，技术长鑫存储还在向CXL 3.0 DRAM市场延伸。无需据韩国经济日报报道，刻机但今年第一季度，比韩每年亏损数千亿韩元，国存V光完美绕过美国出口管制。储双

三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，雄更鑫秘M新长江存储在NAND领域积累的早落专利优势同样适用于DRAM战场。正在全力冲击HBM3和HBM3E。其独创的Xtacking架构已从160层量产到270层，长鑫存储的DRAM全球市场份额已飙升至8%，这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。首尔大学黄哲圣教授直言，

几乎同一时间，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。

长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。长鑫存储无需EUV光刻机，明年将量产HBM4E，

键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，这项技术将存储单元阵列和外围控制逻辑分别制造在不同晶圆上，降低寄生电阻、而三星电子仅83件，

更关键的是，取消传统微凸点连接，中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。

HBM战场同样在加速，SK海力士更只有11件。从过去不被统计到跻身全球前列。韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，好处是缩短连线距离、目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。

7月6日消息，

从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，同时不增加芯片横向面积。中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。