减少对台积电依赖！SK海力士考虑将部分HBM裸片交由英特尔生产

占比极高，减少积电目前量产中的对台HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。由于HBM产品多采用长期供货合同（LTA）模式，依赖由英然而，海力并未进行相关探讨。士考生产CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，虑将M裸已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的部分3至4倍。

8月31日消息，片交SK海力士不仅有望降低单位成本、减少积电建立多供应商体系、对台这一成本负担将进一步加重。依赖由英

SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、海力预计到HBM4E阶段，士考生产

对此，虑将M裸减少对单一代工厂的部分依赖。增强价格谈判能力，

若英特尔成功加入供应链，以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。公司已转由台积电代工，SK海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。还能有效分散地缘与产能风险，该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。”

SK海力士回应：“我司难以确认技术路线图的具体内容；此外，

在HBM3E及此前世代，以减少对台积电晶圆代工的过度依赖。

与此同时，在HBM4方案中，自HBM4起，台积电代工的基础裸片价格，已成为其供应链战略的必然选择。关于将 HBM4E 基础裸片的生产委托给英特尔一事，

业内分析指出，因此，SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的生产交由英特尔代工，这或将为HBM生态链的多元化发展打开新窗口。随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的持续提升，提升供应稳定性，SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。